Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Реферативна база даних (9) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Goriachko A$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 9 Представлено документи з 1 до 9 |
|||
| 1. | 
Goriachko A. A novel nanopositioning system for scanning probe microscopy [Електронний ресурс] / A. Goriachko, P. Melnik, R. Sydorov, O. Popova, M. Nakhodkin // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Радіофізика та електроніка. - 2014. - Вип. 1-2. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_Rte_2014_1-2_11 Описано новий оригінальний пристрій нанопозиціонування для застосування у скануючій зондовій мікроскопії. Пристрій складається з 4-х п'єзоелектричних приводів лінійного переміщення, що механічно комбінуються в переміщення зонду скануючого мікроскопу уздовж 3-х ортогональних осей у просторі. Така система є надкомпактною, сумісною із надвисоковакуумним обладнанням та не містить компонентів високої вартості. Попереднє тестування проводилося в скаунючому тунельному мікроскопі на поверхнях графіту (0001) у повітряному середовищі та германію (111) у надвисоковакуумному середовищі. | ||
| 2. | 
Goriachko A. Bismuth growth on Ge(111): evolution of morphological changes from nanocrystals to films [Електронний ресурс] / A. Goriachko, A. Shchyrba, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Ukrainian journal of physics. - 2014. - Vol. 59, № 8. - С. 805-818. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2014_59_8_12 | ||
| 3. |
Goriachko A. Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 × 8) nanostructured surface [Електронний ресурс] / A. Goriachko, S. P. Kulyk, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 2. - С. 148-152. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_2_9 Реконструкція Si(001)-c(<$E 8~times~8>), що спостерігається в деяких випадках, є унікальним наноструктурованим станом поверхні Si(001). Він був одержаний внаслідок внесення домішок Cu в концентраціях нижче межі чутливості електронної спектроскопії. Детальні СТМ зображення демонструють, що в стані с(<$E 8~times~8>) поверхня не є атомарно гладкою, натомість складається із основних елементів, які належать двом послідовним атомним шарам. Цими елементами є епітаксійні аддимери Si в першому (поверхневому) шарі та подвійні димерні вакансії в другому (приповерхневому) шарі кремнієвого субстрату. | ||
| 4. |
Goriachko A. New features of the Ge(111) surface with coexisting с(2×8) and 2×2 reconstructions investigated by scanning tunneling microscopy [Електронний ресурс] / A. Goriachko, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Ukrainian journal of physics. - 2015. - Vol. 60, № 11. - С. 1132-1142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2015_60_11_9 Реконструйована поверхня Ge(111) може легко переходити з основного стану з суперкоміркою c(2 x 8) у збурений стан 2 x 2 внаслідок близькості їх значень поверхневої вільної енергії. Ці дві реконструкції поверхні германію є достатньо вичерпно вивченими в попередніх роботах, проте нові структурні особливості можна знайти на межах між доменами c(2 x 8) і 2 x 2 із різноманітними орієнтаціями та латеральними зсувами. Наведено результати досліджень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії та запропоновано атомні моделі лінійних ланцюжків комірок 2 x 2 або c(2 x 8), а також адатомно-рестатомних групових вакансій, включаючи кутові ями з аналогічною геометрією як у випадку поверхні Si(111)-7 x 7. | ||
| 5. | 
Goriachko A. Bismuth growth on Ge(111): evolution of morphological changes from nanocrystals to films [Електронний ресурс] / A. Goriachko, A. Shchyrba, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Український фізичний журнал. - 2014. - Т. 59, № 8. - С. 804-817. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2014_59_8_12 | ||
| 6. |
Goriachko A. Scanning tunneling microscopy investigation of the Si(001)-c(8 × 8) nanostructured surface [Електронний ресурс] / A. Goriachko, S. P. Kulyk, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 2. - С. 148-152. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_2_9 Реконструкція Si(001)-c(<$E 8~times~8>), що спостерігається в деяких випадках, є унікальним наноструктурованим станом поверхні Si(001). Він був одержаний внаслідок внесення домішок Cu в концентраціях нижче межі чутливості електронної спектроскопії. Детальні СТМ зображення демонструють, що в стані с(<$E 8~times~8>) поверхня не є атомарно гладкою, натомість складається із основних елементів, які належать двом послідовним атомним шарам. Цими елементами є епітаксійні аддимери Si в першому (поверхневому) шарі та подвійні димерні вакансії в другому (приповерхневому) шарі кремнієвого субстрату. | ||
| 7. |
Goriachko A. A suggestion of the graphene/Ge(111) structure based on ultra-high vacuum scanning tunneling microscopy investigation [Електронний ресурс] / A. Goriachko, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Ukrainian journal of physics. - 2016. - Vol. 61, № 1. - С. 75-87. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2016_61_1_12 | ||
| 8. |
Goriachko A. New features of the Ge(111) surface with coexisting с(2×8) and 2×2 reconstructions investigated by scanning tunneling microscopy [Електронний ресурс] / A. Goriachko, P. V. Melnik, M. G. Nakhodkin // Український фізичний журнал. - 2015. - Т. 60, № 11. - С. 1133-1143. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2015_60_11_9 Реконструйована поверхня Ge(111) може легко переходити з основного стану з суперкоміркою c(2 x 8) у збурений стан 2 x 2 внаслідок близькості їх значень поверхневої вільної енергії. Ці дві реконструкції поверхні германію є достатньо вичерпно вивченими в попередніх роботах, проте нові структурні особливості можна знайти на межах між доменами c(2 x 8) і 2 x 2 із різноманітними орієнтаціями та латеральними зсувами. Наведено результати досліджень за допомогою методу сканувальної тунельної мікроскопії та запропоновано атомні моделі лінійних ланцюжків комірок 2 x 2 або c(2 x 8), а також адатомно-рестатомних групових вакансій, включаючи кутові ями з аналогічною геометрією як у випадку поверхні Si(111)-7 x 7. | ||
| 9. |
Strikha M. V. Surfaces with lowered electron Work function: Problems of their creation and Theoretical description. A review [Електронний ресурс] / M. V. Strikha, A. M. Goriachko // Ukrainian journal of physics. - 2023. - Vol. 68, № 8. - С. 549-573. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2023_68_8_8 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |